골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--근본적으로 월등하고 양적으로 우수한 GaN 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(나스닥: TGAN)이 고성능 저비용 드라이버 솔루션에 대한 세부 정보를 발표했다. LED 조명, 충전, 마이크로 인버터, UPS 및 게임용 컴퓨터와 같은 저전력/중전력 애플리케이션에 사용하기 위한 이 설계 옵션은 30억달러 규모의 전력 시장 부문 고객에 대한 기업의 이익 실현을 강화한다.

맞춤형 드라이버 또는 게이트 보호 장치가 있는 레벨 시프팅 회로가 필요한 경쟁 e-모드 GaN 솔루션과 달리 트랜스폼의 SuperGaN® FET는 기성 드라이버와 쌍을 이루는 경우 쉽게 구동할 수 있는 것으로 알려져 있다. 이 기능은 트랜스폼 장치를 사용할 때 고객의 비용상 이점에 더하는 부분이다. 새로 정의된 솔루션은 GaN FET 또는 시스템의 성능에 영향을 미치지 않고 전체 시스템 비용을 추가로 줄이는 고속, 비절연, 고전압 하프 브리지 게이트 드라이버를 사용한다.

트랜스폼의 비즈니스 개발 및 마케팅 수석 부사장인 필립 주크(Philip Zuk)는 “잘 알려진 기성 드라이버와 작동하는 기능을 고려할 때 일반적으로 오프 상태인 GaN 플랫폼이 더 우수하다. 선택적으로 드라이버를 사용할 수 있는 기능이 주요 이점이다. 이를 통해 고객은 다양한 수준의 성능 이점을 기반으로 드라이버를 선택하는 동시에 전력 시스템 비용을 크게 제어할 수 있다. 이는 가격에 민감한 최종 시장에서 특히 중요한 부분”이라며 “기본적으로 더 높은 성능을 제공하는 트랜스폼의 장치를 통해 고객은 필요한 최종 결과를 기반으로 물자표(BOM)를 구축해 가능한 한 비용 효율적으로 원하는 성능에 도달할 수 있다”라고 덧붙였다.

또 트랜스폼은 높은 절연 전압 정격(제어-출력 구동 신호), 짧은 전파 지연 시간, 빠른 켜기/끄기 시간, 프로그래밍 가능한 불감 시간을 특징으로 하는 다양한 기타 드라이버를 권장하므로 고전력 응용 제품에 매우 적합하다.

전원 어댑터, 게임용 노트북 충전기, LED 조명, 이륜차 및 삼륜차 충전기와 같은 저전력/중전력 애플리케이션은 가격에 민감하다. 이런 유형의 제품에 사용되는 전원 시스템에는 일반적으로 안전 절연과 같은 고급 기능이 필요하지 않다. 따라서 프리미엄 드라이버를 사용하면 물자표의 비용이 불필요하게 증가할 수 있다.

성능 분석

하프 브리지 게이트 드라이버는 PQFN88 패키지로 제공되는 트랜스폼의 650V, 72mΩ 장치인 TP65H070LSG에서 테스트됐다. 이는 공진 하프 브리지, 토템 폴 PFC, 사인파 인버터 또는 능동 클램프 플라이백과 같은 브리지 토폴로지에 사용될 수 있다.

테스트 결과는 저비용 드라이버 솔루션이 방열판이나 냉각용 강제 공기를 사용하거나 사용하지 않고 150kHz 이하의 스위칭 주파수에서 잘 작동함을 보여준다. 이 솔루션은 궁극적으로 일부 구성에서 99%에 가까운 효율성을 달성했다.

애플리케이션 노트 확인

위의 솔루션에 대한 자세한 내용은 ‘저전력/중전력 GaN FET 애플리케이션에 대한 저비용, 고밀도, 고전압 실리콘 드라이버(Low Cost, High Density, High Voltage Silicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications)’라는 제목의 AN0014 애플리케이션 노트를 다운로드해 확인할 수 있다. 웹사이트: https://bit.ly/3MTfQtB

트랜스폼 소개

GaN 혁명의 글로벌 리더인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계하고 제조한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최대 규모의 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유하고 있는 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 고전압 GaN 반도체 장치를 생산하고 있다. 이 회사의 수직 통합 디바이스 비즈니스 모델은 설계, 제조, 디바이스 및 애플리케이션 지원에 이르는 모든 개발 단계에서 혁신을 촉진한다. 트랜스폼의 혁신 기술을 채택한 전력 전자 디바이스는 실리콘의 한계를 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 50% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성할 수 있다. 트랜스폼은 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에서 제조 시설을 운영하고 있다. 자세한 정보는 www.transphormusa.com 에서 확인하고, 트위터 @transphormusa 및 위챗 @ Transphorm_GaN으로 팔로우할 수 있다.

SuperGaN은 Transphorm, Inc.의 등록 상표이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 자산이다.

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